IRLBA3803 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLBA3803

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 270 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 179 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 230 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1800 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: SUPER220

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IRLBA3803 datasheet

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IRLBA3803

PD - 91841A IRLBA3803/P HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology D VDSS = 30V 175 C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.005 G Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize ID = 179AV advanced processing techniques to achieve extremely low S on-resistance per silicon area. This

 9.1. Size:95K  international rectifier
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IRLBA3803

PD- 91842 IRLBA1304/P HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive D VDSS = 40V Ultra Low On-Resistance Same outline as TO-220 50% greater current in typ. RDS(on) = 0.004 application conditions vs. TO-220 G Fully Avalanche Rated ID = 185A S Description The HEXFET is the most popular power MOSFET in the world. This particular HEXFET is in the Super220TM and has the

Otros transistores... IRL630S, IRL631, IRL640, IRL640A, IRL640S, IRL641, IRLBA1304, IRLBA1304P, IRFB7545, IRLBA3803P, 7N65L-TF3-T, IRLBL1304, IRLD014, IRLD024, IRLD110, IRLD120, IRLI2203N