IRLBA3803. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRLBA3803

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 179 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 230 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: SUPER220

Аналог (замена) для IRLBA3803

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLBA3803 даташит

 ..1. Size:121K  international rectifier
 irlba3803.pdf pdf_icon

IRLBA3803

PD - 91841A IRLBA3803/P HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology D VDSS = 30V 175 C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.005 G Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize ID = 179AV advanced processing techniques to achieve extremely low S on-resistance per silicon area. This

 9.1. Size:95K  international rectifier
 irlba1304.pdf pdf_icon

IRLBA3803

PD- 91842 IRLBA1304/P HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive D VDSS = 40V Ultra Low On-Resistance Same outline as TO-220 50% greater current in typ. RDS(on) = 0.004 application conditions vs. TO-220 G Fully Avalanche Rated ID = 185A S Description The HEXFET is the most popular power MOSFET in the world. This particular HEXFET is in the Super220TM and has the

Другие IGBT... IRL630S, IRL631, IRL640, IRL640A, IRL640S, IRL641, IRLBA1304, IRLBA1304P, IRFB7545, IRLBA3803P, 7N65L-TF3-T, IRLBL1304, IRLD014, IRLD024, IRLD110, IRLD120, IRLI2203N