SIHFU110 Todos los transistores

 

SIHFU110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHFU110
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.54 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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SIHFU110 Datasheet (PDF)

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SIHFU110

IRFU110, SiHFU110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 100DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.54 Straight Lead Available in Tape and ReelQg (Max.) (nC) 8.3 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 2.3 Repetitive Avalanche RatedQgd (nC) 3.8 Fast SwitchingConfiguration Single Ease of Parallel

 ..2. Size:1337K  vishay
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SIHFU110

IRFU110, SiHFU110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 100DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.54 Straight Lead Available in Tape and ReelQg (Max.) (nC) 8.3 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 2.3 Repetitive Avalanche RatedQgd (nC) 3.8 Fast SwitchingConfiguration Single Ease of Parallel

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SIHFU110

IRFR120, IRFU120, SiHFR120, SiHFU120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 100 Definition Dynamic dV/dt RatingRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27 Repetitive Avalanche RatedQg (Max.) (nC) 16 Surface Mount (IRFR120, SiHFR120)Qgs (nC) 4.4 Straight Lead (IRFU120, SiHFU120) Available in Tape and ReelQ

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SIHFU110

IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 600DefinitionRDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 7.0 Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveQg (Max.) (nC) 14RequirementQgs (nC) 2.7 Improved Gate, Avalanche and DynamicQgd (nC) 8.1dV/dt RuggednessConfiguration Sing

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History: ZXM64P035GTA | SIHFU020 | IXTA110N055T7 | IXTA10P15T

 

 
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