Справочник MOSFET. SIHFU110

 

SIHFU110 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFU110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8.3 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для SIHFU110

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFU110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1341K  vishay
 irfu110 sihfu110.pdf pdf_icon

SIHFU110

IRFU110, SiHFU110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 100DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.54 Straight Lead Available in Tape and ReelQg (Max.) (nC) 8.3 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 2.3 Repetitive Avalanche RatedQgd (nC) 3.8 Fast SwitchingConfiguration Single Ease of Parallel

 ..2. Size:1337K  vishay
 irfu110pbf sihfu110.pdf pdf_icon

SIHFU110

IRFU110, SiHFU110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 100DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.54 Straight Lead Available in Tape and ReelQg (Max.) (nC) 8.3 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 2.3 Repetitive Avalanche RatedQgd (nC) 3.8 Fast SwitchingConfiguration Single Ease of Parallel

 8.1. Size:2013K  vishay
 irfr120pbf irfu120pbf sihfr120 sihfu120.pdf pdf_icon

SIHFU110

IRFR120, IRFU120, SiHFR120, SiHFU120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 100 Definition Dynamic dV/dt RatingRDS(on) ()VGS = 10 V 0.27 Repetitive Avalanche RatedQg (Max.) (nC) 16 Surface Mount (IRFR120, SiHFR120)Qgs (nC) 4.4 Straight Lead (IRFU120, SiHFU120) Available in Tape and ReelQ

 8.2. Size:244K  vishay
 irfr1n60a irfu1n60a sihfr1n60a sihfu1n60a.pdf pdf_icon

SIHFU110

IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 600DefinitionRDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 7.0 Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveQg (Max.) (nC) 14RequirementQgs (nC) 2.7 Improved Gate, Avalanche and DynamicQgd (nC) 8.1dV/dt RuggednessConfiguration Sing

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHFRC20 , SIHFS11N50A , SIHFS9N60A , SIHFSL11N50A , SIHFSL9N60A , SIHFU014 , SIHFU020 , SIHFU024 , 20N60 , SIHFU120 , SIHFU1N60A , SIHFU210 , SIHFU214 , SIHFU220 , SIHFU224 , SIHFU310 , SIHFU320 .

History: IXTA120N075T2 | IXTA120N04T2 | SIHFS9N60A

 

 
Back to Top

 


 
.