SIHFZ20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIHFZ20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIHFZ20

SIHFZ20 Datasheet (PDF)

..1. Size:1837K vishay
irfz20pbf sihfz20.pdf

IRFZ20, SiHFZ20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Extremely Low RDS(on)VDS (V) 50 Compact Plastic PackageRDS(on) ()VGS = 10 V 0.10 Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 17 Low Drive CurrentQgs (nC) 9.0 Ease of ParallelingQgd (nC) 3.0 Excellent Temperature StabilityConfiguration Single Parts Per Million Quality Compliant to R

8.1. Size:1229K vishay
irfz24pbf sihfz24.pdf

IRFZ24, SiHFZ24Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60 175 C Operating TemperatureRDS(on) ()VGS = 10 V 0.10 Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 25 Ease of ParallelingQgs (nC) 5.8Qgd (nC) 11 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDESCRIPTIONThird generatio

8.2. Size:448K vishay
irfz24l irfz24s irfz24spbf sihfz24s.pdf

IRFZ24S, IRFZ24L, SiHFZ24S, SiHFZ24SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 60 Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = 10 V 0.10 Surface Mount (IRFZ24S, SiHFZ24S)Qg (Max.) (nC) 25 Low-ProfileThrough-Hole (IRFZ24L, SiHFZ24L) 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 5.8 Fast Sw

8.3. Size:348K vishay
irfz24 sihfz24.pdf

IRFZ24, SiHFZ24www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt ratingVDS (V) 60 175 C operating temperatureRDS(on) ()VGS = 10 V 0.10 Fast switchingQg max. (nC) 25 Ease of parallelingQgs (nC) 5.8Qgd (nC) 11 Simple drive requirementsConfiguration Single Material categorization: for definitions of compliance

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Liste

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