SIHFZ20 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SIHFZ20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIHFZ20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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SIHFZ20 datasheet

..1. Size:1837K vishay
irfz20pbf sihfz20.pdf pdf_icon

IRFZ20, SiHFZ20 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Extremely Low RDS(on) VDS (V) 50 Compact Plastic Package RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.10 Fast Switching Qg (Max.) (nC) 17 Low Drive Current Qgs (nC) 9.0 Ease of Paralleling Qgd (nC) 3.0 Excellent Temperature Stability Configuration Single Parts Per Million Quality Compliant to R

8.1. Size:1229K vishay
irfz24pbf sihfz24.pdf pdf_icon

IRFZ24, SiHFZ24 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 175 C Operating Temperature RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.10 Fast Switching Qg (Max.) (nC) 25 Ease of Paralleling Qgs (nC) 5.8 Qgd (nC) 11 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D DESCRIPTION Third generatio

8.2. Size:448K vishay
irfz24l irfz24s irfz24spbf sihfz24s.pdf pdf_icon

IRFZ24S, IRFZ24L, SiHFZ24S, SiHFZ24S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) 60 Advanced Process Technology RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.10 Surface Mount (IRFZ24S, SiHFZ24S) Qg (Max.) (nC) 25 Low-ProfileThrough-Hole (IRFZ24L, SiHFZ24L) 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 5.8 Fast Sw

8.3. Size:348K vishay
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IRFZ24, SiHFZ24 www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt rating VDS (V) 60 175 C operating temperature RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.10 Fast switching Qg max. (nC) 25 Ease of paralleling Qgs (nC) 5.8 Qgd (nC) 11 Simple drive requirements Configuration Single Material categorization for definitions of compliance

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