IRLD120 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLD120
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
Encapsulados: HD-1
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IRLD120 datasheet
irld120pbf.pdf
PD-95979 IRLD120PbF Lead-Free 12/20/04 Document Number 91310 www.vishay.com 1 IRLD120PbF Document Number 91310 www.vishay.com 2 IRLD120PbF Document Number 91310 www.vishay.com 3 IRLD120PbF Document Number 91310 www.vishay.com 4 IRLD120PbF Document Number 91310 www.vishay.com 5 IRLD120PbF Document Number 91310 www.vishay.com 6 IRLD120PbF Peak Diode Recovery
irld120 sihld120.pdf
IRLD120, SiHLD120 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.27 RoHS* For Automatic Insertion COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 12 End Stackable Qgs (nC) 3.0 Logic-Level Gate Drive Qgd (nC) 7.1 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Configuration Single
irld120pbf sihld120.pdf
IRLD120, SiHLD120 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.27 RoHS* For Automatic Insertion COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 12 End Stackable Qgs (nC) 3.0 Logic-Level Gate Drive Qgd (nC) 7.1 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Configuration Single
Otros transistores... IRLBA1304P, IRLBA3803, IRLBA3803P, 7N65L-TF3-T, IRLBL1304, IRLD014, IRLD024, IRLD110, AO4407A, IRLI2203N, IRLI2505, IRLI2910, IRLI3705N, IRLI3803, IRLI510A, IRLI520A, IRLI520N
History: 7N65L-TF3-T
🌐 : EN ES РУ
Liste
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