SIHG16N50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIHG16N50C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 156 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AC

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIHG16N50C

SIHG16N50C Datasheet (PDF)

..1. Size:142K vishay
sihg16n50c.pdf

SiHG16N50CVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit Ron x QgVDS (V) at TJ max. 560 VRDS(on) ()VGS = 10 V 0.38 100 % Avalanche TestedQg (Max.) (nC) 68 Gate Charge ImprovedQgs (nC) 17.6 Trr/Qrr ImprovedQgd (nC) 21.8Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDTO-247ACGSDGSN-Channel MOSFET

9.1. Size:178K vishay
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SiHG14N50Dwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal DesignVDS (V) at TJ max. 550- Low Area Specific On-ResistanceRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.4- Low Input Capacitance (Ciss)Qg (Max.) (nC) 58- Reduced Capacitive Switching LossesQgs (nC) 8- High Body Diode RuggednessQgd (nC) 14- Avalanche Energy Rated (UIS)

9.2. Size:187K vishay
sihg17n60d.pdf

SiHG17N60Dwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal DesignVDS (V) at TJ max. 650- Low Area Specific On-ResistanceRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.340- Low Input Capacitance (Ciss)Qg (Max.) (nC) 90- Reduced Capacitive Switching LossesQgs (nC) 14- High Body Diode RuggednessQgd (nC) 22- Avalanche Energy Rated (UIS

9.3. Size:123K vishay
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SiHG17N80Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESD Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgTO-247AC Low input capacitance (Ciss) Reduced switching and conduction lossesG Ultra low gate charge (Qg) Avalanche energy rated (UIS)S Material categorization: for definitions of compliance DSplease see www.vishay.com/doc?99912GN-Chann

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: RTR020P02

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: