Справочник MOSFET. SIHG16N50C

 

SIHG16N50C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIHG16N50C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
   trⓘ - Время нарастания: 156 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AC

 Аналог (замена) для SIHG16N50C

 

 

SIHG16N50C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:142K  vishay
 sihg16n50c.pdf

SIHG16N50C SIHG16N50C

SiHG16N50CVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit Ron x QgVDS (V) at TJ max. 560 VRDS(on) ()VGS = 10 V 0.38 100 % Avalanche TestedQg (Max.) (nC) 68 Gate Charge ImprovedQgs (nC) 17.6 Trr/Qrr ImprovedQgd (nC) 21.8Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDTO-247ACGSDGSN-Channel MOSFET

 9.1. Size:178K  vishay
 sihg14n50d.pdf

SIHG16N50C SIHG16N50C

SiHG14N50Dwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal DesignVDS (V) at TJ max. 550- Low Area Specific On-ResistanceRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.4- Low Input Capacitance (Ciss)Qg (Max.) (nC) 58- Reduced Capacitive Switching LossesQgs (nC) 8- High Body Diode RuggednessQgd (nC) 14- Avalanche Energy Rated (UIS)

 9.2. Size:187K  vishay
 sihg17n60d.pdf

SIHG16N50C SIHG16N50C

SiHG17N60Dwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal DesignVDS (V) at TJ max. 650- Low Area Specific On-ResistanceRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.340- Low Input Capacitance (Ciss)Qg (Max.) (nC) 90- Reduced Capacitive Switching LossesQgs (nC) 14- High Body Diode RuggednessQgd (nC) 22- Avalanche Energy Rated (UIS

 9.3. Size:123K  vishay
 sihg17n80e.pdf

SIHG16N50C SIHG16N50C

SiHG17N80Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESD Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgTO-247AC Low input capacitance (Ciss) Reduced switching and conduction lossesG Ultra low gate charge (Qg) Avalanche energy rated (UIS)S Material categorization: for definitions of compliance DSplease see www.vishay.com/doc?99912GN-Chann

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top