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SIHH14N60E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHH14N60E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 74 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.255 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK8X8
 

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SIHH14N60E datasheet

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SIHH14N60E

SiHH14N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Fully lead (Pb)-free device VDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg RDS(on) typ. ( ) at 25 C VGS = 10 V 0.220 Low input capacitance (Ciss) Qg max. (nC) 82 Reduced switching and conduction losses Qgs (nC) 8 Qgd (nC) 16 Ultra low gate charge (Qg) Confi

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SIHH14N60E

SiHH180N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES Pin 4 drain 4th generation E series technology PowerPAK 8 x 8 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Pin 1 Low effective capacitance (Co(er)) gate 4 Reduced switching and conduction losses 1 Avalanche energy rated (UIS) Pin 2 2 Kelvin connection Kelvin connection for reduced gate

 9.2. Size:152K  vishay
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SIHH14N60E

SiHH11N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Fully lead (Pb)-free device VDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg RDS(on) typ. ( ) at 25 C VGS = 10 V 0.295 Low input capacitance (Ciss) Qg max. (nC) 62 Reduced switching and conduction losses Qgs (nC) 7 Qgd (nC) 13 Ultra low gate charge (Qg) Confi

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