SIHH26N60E Todos los transistores

 

SIHH26N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHH26N60E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 202 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 77 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK8X8
 

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SIHH26N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  vishay
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SIHH26N60E

SiHH26N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Fully lead (Pb)-free deviceVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgRDS(on) typ. () at 25 C VGS = 10 V 0.117 Low input capacitance (Ciss)Qg max. (nC) 116 Reduced switching and conduction lossesQgs (nC) 18Qgd (nC) 33 Ultra low gate charge (Qg)Con

 9.1. Size:138K  vishay
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SIHH26N60E

SiHH27N60EFwww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFET With Fast Body DiodeFEATURESPin 4 Completely lead (Pb)-free devicePowerPAK 8 x 8 Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgPin 1 Low input capacitance (Ciss)4 Reduced switching and conduction lossesPin 21 Ultra low gate charge (Qg)2 Avalanche energy rated (UIS)33 Pin 3 Kelvin co

 9.2. Size:150K  vishay
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SIHH26N60E

SiHH21N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Fully lead (Pb)-free deviceVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgRDS(on) typ. () at 25 C VGS = 10 V 0.153 Low input capacitance (Ciss)Qg max. (nC) 83 Reduced switching and conduction lossesQgs (nC) 11Qgd (nC) 20 Ultra low gate charge (Qg)Conf

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History: APQ04SN60A | FDP6670AL

 

 
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