SIHLD024 Todos los transistores

 

SIHLD024 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHLD024
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: HVMDIP
 

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SIHLD024 Datasheet (PDF)

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IRLD024, SiHLD024Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available For Automatic InsertionRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.10RoHS* End StackableQg (Max.) (nC) 18COMPLIANT Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 4.5Qgd (nC) 12 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single 175 C Operating Temperature

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IRLD024, SiHLD024Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available For Automatic InsertionRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.10RoHS* End StackableQg (Max.) (nC) 18COMPLIANT Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 4.5Qgd (nC) 12 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single 175 C Operating Temperature

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IRLD014, SiHLD014Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available For Automatic InsertionRDS(on) ()VGS = 5 V 0.20RoHS* End StackableQg (Max.) (nC) 8.4 COMPLIANT Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 2.6Qgd (nC) 6.4 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single 175 C Operating Temperature

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IRLD014, SiHLD014Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available For Automatic InsertionRDS(on) ()VGS = 5 V 0.20RoHS* End StackableQg (Max.) (nC) 8.4 COMPLIANT Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 2.6Qgd (nC) 6.4 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single 175 C Operating Temperature

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