SIHLD024. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SIHLD024
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: HVMDIP
Аналог (замена) для SIHLD024
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIHLD024 даташит
sihld024.pdf
IRLD024, SiHLD024 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available For Automatic Insertion RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.10 RoHS* End Stackable Qg (Max.) (nC) 18 COMPLIANT Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 4.5 Qgd (nC) 12 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Configuration Single 175 C Operating Temperature
irld024 sihld024.pdf
IRLD024, SiHLD024 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available For Automatic Insertion RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.10 RoHS* End Stackable Qg (Max.) (nC) 18 COMPLIANT Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 4.5 Qgd (nC) 12 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Configuration Single 175 C Operating Temperature
irld014 sihld014.pdf
IRLD014, SiHLD014 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available For Automatic Insertion RDS(on) ( )VGS = 5 V 0.20 RoHS* End Stackable Qg (Max.) (nC) 8.4 COMPLIANT Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 2.6 Qgd (nC) 6.4 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Configuration Single 175 C Operating Temperature
irld014pbf sihld014.pdf
IRLD014, SiHLD014 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available For Automatic Insertion RDS(on) ( )VGS = 5 V 0.20 RoHS* End Stackable Qg (Max.) (nC) 8.4 COMPLIANT Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 2.6 Qgd (nC) 6.4 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Configuration Single 175 C Operating Temperature
Другие IGBT... SIHL540S, SIHL620, SIHL620S, SIHL630, SIHL630S, SIHL640, SIHL640S, SIHLD014, AO4407A, SIHLD110, SIHLD120, SIHLI520G, SIHLI530G, SIHLI540G, SIHLI620G, SIHLI630G, SIHLI640G
History: SIHLD014
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor








