SIHLIZ14G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIHLIZ14G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIHLIZ14G

SIHLIZ14G Datasheet (PDF)

..1. Size:1637K vishay
irliz14g sihliz14g.pdf

IRLIZ14G, SiHLIZ14GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.20f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 8.4 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 3.5 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VQgd (nC) 6.

..2. Size:1638K vishay
irliz14gpbf sihliz14g.pdf

8.1. Size:1637K vishay
irliz34g sihliz34g.pdf

IRLIZ34G, SiHLIZ34GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.050f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 35 Sink to Lead Creepage Distance 4.8 mmQgs (nC) 7.1 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 25 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V

8.2. Size:1638K vishay
irliz34gpbf sihliz34g.pdf

8.3. Size:1697K vishay
sihliz24g.pdf

IRLIZ24G, SiHLIZ24GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RoHSRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.10f = 60 Hz)COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 18 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 4.5 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 12 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Fast

8.4. Size:1741K vishay
sihliz44g.pdf

IRLIZ44G, SiHLIZ44GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RoHSRDS(on) ()VGS = 5 V 0.028f = 60 Hz)COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 66 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 12 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 43 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfigurat

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 2SK1122

Liste

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