IRLI520N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLI520N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de IRLI520N MOSFET
IRLI520N PDF Specs
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PD - 95049 IRLI520NPbF Lead-Free www.irf.com 1 2/25/04 IRLI520NPbF 2 www.irf.com IRLI520NPbF www.irf.com 3 IRLI520NPbF 4 www.irf.com IRLI520NPbF www.irf.com 5 IRLI520NPbF 6 www.irf.com IRLI520NPbF www.irf.com 7 IRLI520NPbF 8 www.irf.com IRLI520NPbF TO-220 Full-Pak Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) TO-220 Full-Pak Part Marking Informat... See More ⇒
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PD - 9.1496A IRLI520N PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive D Advanced Process Technology VDSS = 100V Isolated Package High Voltage Isolation = 2.5KVRMS RDS(on) = 0.18 Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm G Fully Avalanche Rated ID =8.1A Description S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achi... See More ⇒
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IRLI520NPbF Logic Level Gate Drive HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Isolated Package VDSS 100V High Voltage Isolation = 2.5KVRMS RDS(on) 0.18 Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm Fully Avalanche Rated ID 8.1A Lead-Free Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing te... See More ⇒
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Liste
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