SIHU6N62E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIHU6N62E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 620 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm

Encapsulados: TO-251

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SIHU6N62E datasheet

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SIHU6N62E

SiHU6N62E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.9 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 34 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 4 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 8 Mate

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SIHU6N62E

SiHU6N65E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.6 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 48 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 6 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 11 Mat

Otros transistores... SIHP6N65E, SIHP7N60E, SIHP8N50D, SIHS20N50C, SIHS36N50D, SIHU3N50D, SIHU3N50DA, SIHU5N50D, 2SK3568, SIHU6N65E, SIHU7N60E, SIHW30N60E, SIHW33N60E, SIHW47N60E, SIHW73N60E, FMA49N20T2, FMB16N50E