FMC03N60E Todos los transistores

 

FMC03N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FMC03N60E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: T-PACK-S
 

 Búsqueda de reemplazo de FMC03N60E MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FMC03N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:520K  fuji
 fmc03n60e.pdf pdf_icon

FMC03N60E

FMC03N60E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseT-Pack(S)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)

Otros transistores... SIHU7N60E , SIHW30N60E , SIHW33N60E , SIHW47N60E , SIHW73N60E , FMA49N20T2 , FMB16N50E , FMB80N10T2 , IRF2807 , FMC05N50E , FMC05N60E , FMC06N60ES , FMC07N50E , FMC10N60E , FMC11N60E , FMC12N50E , FMC12N50ES .

History: DM12N65C-F

 

 
Back to Top

 


 
.