FMC03N60E - аналоги и даташиты транзистора

 

FMC03N60E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FMC03N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: T-PACK-S
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMC03N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:520K  fuji
 fmc03n60e.pdf pdf_icon

FMC03N60E

FMC03N60E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseT-Pack(S)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)

Другие MOSFET... SIHU7N60E , SIHW30N60E , SIHW33N60E , SIHW47N60E , SIHW73N60E , FMA49N20T2 , FMB16N50E , FMB80N10T2 , IRF2807 , FMC05N50E , FMC05N60E , FMC06N60ES , FMC07N50E , FMC10N60E , FMC11N60E , FMC12N50E , FMC12N50ES .

 

 
Back to Top

 


 
.