IRLI620A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRLI620A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLI620A

IRLI620A Datasheet (PDF)

..1. Size:204K 1
irli620a irlw620a.pdf

7.1. Size:1411K international rectifier
irli620gpbf.pdf

PD- 95753IRLI620GPbF Lead-Freewww.irf.com 18/23/04IRLI620GPbF2 www.irf.comIRLI620GPbFwww.irf.com 3IRLI620GPbF4 www.irf.comIRLI620GPbFwww.irf.com 5IRLI620GPbF6 www.irf.comIRLI620GPbFwww.irf.com 7IRLI620GPbFTO-220 Full-Pak Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)TO-220 Full-Pak Part Marking InformationEXAMPLE: THIS IS AN IRFI8

7.2. Size:157K international rectifier
irli620g.pdf

PD - 9.1235IRLI620GHEXFET Power MOSFETIsolated PackageHigh Voltage Isolation = 2.5KVRMS VDSS = 200VSink to Lead Creepage Dist. 4.8mmLogic-Level Gate DriveRDS(on) = 0.80RDS(ON) Specified at VGS = 4V & 5VFast SwitchingEase of parallelingID = 4.0ADescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designerwith the best combination of fast

7.3. Size:1895K vishay
irli620g sihli620g.pdf

IRLI620G, SiHLI620GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.80f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 16COMPLIANT Sink to Lead Creepage Dist. 4.8 mmQgs (nC) 2.7 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 9.6 RDS(on) Specified at VGS = 4V and 5 V

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Liste

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