IRLI620A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRLI620A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO262
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRLI620A Datasheet (PDF)
irli620gpbf.pdf

PD- 95753IRLI620GPbF Lead-Freewww.irf.com 18/23/04IRLI620GPbF2 www.irf.comIRLI620GPbFwww.irf.com 3IRLI620GPbF4 www.irf.comIRLI620GPbFwww.irf.com 5IRLI620GPbF6 www.irf.comIRLI620GPbFwww.irf.com 7IRLI620GPbFTO-220 Full-Pak Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)TO-220 Full-Pak Part Marking InformationEXAMPLE: THIS IS AN IRFI8
irli620g.pdf

PD - 9.1235IRLI620GHEXFET Power MOSFETIsolated PackageHigh Voltage Isolation = 2.5KVRMS VDSS = 200VSink to Lead Creepage Dist. 4.8mmLogic-Level Gate DriveRDS(on) = 0.80RDS(ON) Specified at VGS = 4V & 5VFast SwitchingEase of parallelingID = 4.0ADescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designerwith the best combination of fast
irli620g sihli620g.pdf

IRLI620G, SiHLI620GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.80f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 16COMPLIANT Sink to Lead Creepage Dist. 4.8 mmQgs (nC) 2.7 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 9.6 RDS(on) Specified at VGS = 4V and 5 V
Другие MOSFET... IRLI510A , IRLI520A , IRLI520N , IRLI530A , IRLI530N , IRLI540A , IRLI540N , IRLI610A , IRF640 , IRLI620G , IRLI630A , IRLI630G , IRLI640A , IRLI640G , IRLIZ14A , IRLIZ14G , IRLIZ24A .
History: FDMB3800N | SSF2300B | GSM6602 | FQU2N80TU | BUK9M120-100E | HGB035N10A | WST2N7002A
History: FDMB3800N | SSF2300B | GSM6602 | FQU2N80TU | BUK9M120-100E | HGB035N10A | WST2N7002A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786