2SJ327 Todos los transistores

 

2SJ327 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SJ327
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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2SJ327 www.VBsemi.tw P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Available 0.010 at VGS = - 10 V 55 RoHS* - 40 COMPLIANT 0.014 at VGS = - 4.5 V 54 TO-251 S G G D S D Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Gat... See More ⇒

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2SJ327

Ordering number EN4615A P-Channel Silicon MOSFET 2SJ320 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2063A Low-voltage drive. [2SJ320] Micaless package facilitating mounting. 4.5 10.0 2.8 3.2 2.4 1.6 1.2 0.7 0.75 1 2 3 1 Gate 2.55 2.55 2 Drain 3 Source 2.55 2.55 SANYO TO... See More ⇒

Otros transistores... 2SJ212 , 2SJ218 , 2SJ243 , 2SJ302 , 2SJ303 , 2SJ324 , 2SJ325 , 2SJ326 , CS150N03A8 , 2SJ328 , 2SJ329 , 2SJ330 , 2SJ331 , 2SJ353 , 2SJ411 , 2SJ424 , 2SJ425 .

 

 
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