2SJ327 Todos los transistores

 

2SJ327 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SJ327
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SJ327 Datasheet (PDF)

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2SJ327

 ..2. Size:816K  cn vbsemi
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2SJ327

2SJ327www.VBsemi.twP-Channel 4 0 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECVDS (V) RDS(on) ()ID (A)aAvailable0.010 at VGS = - 10 V 55RoHS*- 40COMPLIANT0.014 at VGS = - 4.5 V 54TO-251SGG D SDTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitGat

 0.1. Size:342K  nec
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2SJ327

 9.1. Size:94K  sanyo
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2SJ327

Ordering number:EN4615AP-Channel Silicon MOSFET2SJ320Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2063A Low-voltage drive.[2SJ320] Micaless package facilitating mounting.4.510.02.83.22.41.61.20.70.751 2 3 1 : Gate2.55 2.552 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : TO

Otros transistores... 2SJ212 , 2SJ218 , 2SJ243 , 2SJ302 , 2SJ303 , 2SJ324 , 2SJ325 , 2SJ326 , 20N50 , 2SJ328 , 2SJ329 , 2SJ330 , 2SJ331 , 2SJ353 , 2SJ411 , 2SJ424 , 2SJ425 .

History: AP98T03GP | HCS80R1K4ST

 

 
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