FMI07N50E Todos los transistores

 

FMI07N50E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FMI07N50E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: T-PACK-L
 

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FMI07N50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:404K  fuji
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FMI07N50E

FMI07N50E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseT-Pack(L)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)

Otros transistores... FMH28N50E , FMH28N50ES , FMH30N60S1 , FMH47N60S1 , FMI03N60E , FMI05N50E , FMI05N60E , FMI06N60ES , AON6414A , FMI10N60E , FMI11N60E , FMI12N50E , FMI12N50ES , FMI12N60ES , FMI13N60E , FMI13N60ES , FMI16N50E .

History: FDD8647L | FQD20N06 | AP09N20H-HF

 

 
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