FMI13N60ES Todos los transistores

 

FMI13N60ES MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FMI13N60ES
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm
   Paquete / Cubierta: T-PACK-L
 

 Búsqueda de reemplazo de FMI13N60ES MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FMI13N60ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:536K  fuji
 fmi13n60es.pdf pdf_icon

FMI13N60ES

FMI13N60ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseT-Pack(L)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (

 5.1. Size:471K  fuji
 fmi13n60e.pdf pdf_icon

FMI13N60ES

FMI13N60E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseT-Pack(L)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)

Otros transistores... FMI06N60ES , FMI07N50E , FMI10N60E , FMI11N60E , FMI12N50E , FMI12N50ES , FMI12N60ES , FMI13N60E , 2SK3878 , FMI16N50E , FMI16N50ES , FMI16N60E , FMI16N60ES , FMI20N50E , FMI20N50ES , FMI80N10T2 , FML12N50ES .

History: AP6P070S | STP10NK80Z

 

 
Back to Top

 


 
.