Справочник MOSFET. FMI13N60ES

 

FMI13N60ES Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMI13N60ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
   Тип корпуса: T-PACK-L
 

 Аналог (замена) для FMI13N60ES

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMI13N60ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:536K  fuji
 fmi13n60es.pdf pdf_icon

FMI13N60ES

FMI13N60ES FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseT-Pack(L)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (

 5.1. Size:471K  fuji
 fmi13n60e.pdf pdf_icon

FMI13N60ES

FMI13N60E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseT-Pack(L)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)

Другие MOSFET... FMI06N60ES , FMI07N50E , FMI10N60E , FMI11N60E , FMI12N50E , FMI12N50ES , FMI12N60ES , FMI13N60E , 2SK3878 , FMI16N50E , FMI16N50ES , FMI16N60E , FMI16N60ES , FMI20N50E , FMI20N50ES , FMI80N10T2 , FML12N50ES .

History: N6004NZ | JMSL0401AG

 

 
Back to Top

 


 
.