IRLI640A Todos los transistores

 

IRLI640A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLI640A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO262

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IRLI640A datasheet

 ..1. Size:201K  1
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IRLI640A

 7.1. Size:153K  international rectifier
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IRLI640A

PD - 9.1237 IRLI640G HEXFET Power MOSFET Isolated Package High Voltage Isolation = 2.5KVRMS VDSS = 200V Sink to Lead Creepage Dist. 4.8mm Logic-Level Gate Drive RDS(on) = 0.18 RDS(ON) Specified at VGS = 4V & 5V Fast Switching Ease of paralleling ID = 9.9A Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast

 7.2. Size:1231K  international rectifier
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IRLI640A

PD- 95654 IRLI640GPbF Lead-Free 7/26/04 Document Number 91314 www.vishay.com 1 IRLI640GPbF Document Number 91314 www.vishay.com 2 IRLI640GPbF Document Number 91314 www.vishay.com 3 IRLI640GPbF Document Number 91314 www.vishay.com 4 IRLI640GPbF Document Number 91314 www.vishay.com 5 IRLI640GPbF Document Number 91314 www.vishay.com 6 IRLI640GPbF Peak Diode Re

 7.3. Size:1706K  vishay
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IRLI640A

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History: AUIRF3305 | IRF431 | IRF441

 

 

 

 

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