IRLI640A - описание и поиск аналогов

 

IRLI640A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRLI640A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для IRLI640A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLI640A даташит

 ..1. Size:201K  1
irli640a irlw640a.pdfpdf_icon

IRLI640A

 7.1. Size:153K  international rectifier
irli640g.pdfpdf_icon

IRLI640A

PD - 9.1237 IRLI640G HEXFET Power MOSFET Isolated Package High Voltage Isolation = 2.5KVRMS VDSS = 200V Sink to Lead Creepage Dist. 4.8mm Logic-Level Gate Drive RDS(on) = 0.18 RDS(ON) Specified at VGS = 4V & 5V Fast Switching Ease of paralleling ID = 9.9A Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast

 7.2. Size:1231K  international rectifier
irli640gpbf.pdfpdf_icon

IRLI640A

PD- 95654 IRLI640GPbF Lead-Free 7/26/04 Document Number 91314 www.vishay.com 1 IRLI640GPbF Document Number 91314 www.vishay.com 2 IRLI640GPbF Document Number 91314 www.vishay.com 3 IRLI640GPbF Document Number 91314 www.vishay.com 4 IRLI640GPbF Document Number 91314 www.vishay.com 5 IRLI640GPbF Document Number 91314 www.vishay.com 6 IRLI640GPbF Peak Diode Re

 7.3. Size:1706K  vishay
irli640g sihli640g.pdfpdf_icon

IRLI640A

Другие MOSFET... IRLI530N , IRLI540A , IRLI540N , IRLI610A , IRLI620A , IRLI620G , IRLI630A , IRLI630G , IRFB4110 , IRLI640G , IRLIZ14A , IRLIZ14G , IRLIZ24A , IRLIZ24G , IRLIZ24N , IRLIZ34A , IRLIZ34G .

History: SSI5N90A | BLM3407A | WM02DH08T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.