FML12N60ES MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FML12N60ES

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm

Encapsulados: TFP

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FML12N60ES datasheet

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FML12N60ES

http //www.fujisemi.com FML12N60ES FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TFP 9.0 0.2 7.0 0.2 0.4 0.1 Lower R (on) characteristic DS 4 More controllable switching dv/dt by gate resistance 4 D Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow

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FML12N60ES

http //www.fujisemi.com FML12N50ES FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TFP 9.0 0.2 7.0 0.2 0.4 0.1 Lower R (on) characteristic DS 4 More controllable switching dv/dt by gate resistance 4 D Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow

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