FS14SM-12 Todos los transistores

 

FS14SM-12 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FS14SM-12
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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FS14SM-12 datasheet

 6.1. Size:257K  inchange semiconductor
 fs14sm-16a.pdf pdf_icon

FS14SM-12

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor FS14SM-16A FEATURES With TO-3PN packaging High speed switching Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAME

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History: AGM30P35M | CS7N65FA9R | IXFB210N20P

 

 
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