FS14SM-12. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FS14SM-12

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для FS14SM-12

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FS14SM-12 даташит

 6.1. Size:257K  inchange semiconductor
fs14sm-16a.pdfpdf_icon

FS14SM-12

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor FS14SM-16A FEATURES With TO-3PN packaging High speed switching Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAME

Другие IGBT... FS10ASJ-2, FS10ASJ-3, FS10SM-10, FS10SM-12, FS10SM-16A, FS10SM-18A, FS10VS-9A, FS14SM-10, AON7506, FS14SM-14A, FS14SM-16A, FS14SM-9, FS16SM-10, FS16SM-9, FS18SM-10, FS18SM-14A, FS18SM-9