FS16SM-10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FS16SM-10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 16 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 50 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 230 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.56 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FS16SM-10

FS16SM-10 Datasheet (PDF)

1.1. fs16sm-10.pdf Size:61K _upd-mosfet

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS16SM-10 HIGH-SPEED SWITCHING USE FS16SM-10 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 4.5 15.9MAX. 1.5 r φ 3.2 2 4.4 1.0 q w e 5.45 5.45 0.6 2.8 4 wr q GATE w DRAIN q e SOURCE r DRAIN ¡VDSS ................................................................................ 500V ¡rDS (ON) (MAX) ............................................................

3.1. fs16sm-9.pdf Size:61K _upd-mosfet

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS16SM-9 HIGH-SPEED SWITCHING USE FS16SM-9 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 4.5 15.9MAX. 1.5 r φ 3.2 2 4.4 1.0 q w e 5.45 5.45 0.6 2.8 4 wr q GATE w DRAIN q e SOURCE r DRAIN ¡VDSS ................................................................................450V ¡rDS (ON) (MAX) ..............................................................

4.1. fs12um fs12vs fs12km fs16um fs16vs fskm fs16sm fs20um fs20vs fs20km fs20sm.pdf Size:449K _no