FSS804 Todos los transistores

 

FSS804 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FSS804
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

 Búsqueda de reemplazo de FSS804 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FSS804 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:34K  sanyo
fss804-tl-e.pdf pdf_icon

FSS804

Ordering number : ENA0518 FSS804SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceFSS804ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 4V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 30 VGate-to-Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC) ID 14 ADra

Otros transistores... FS70VS-2 , FS70VSJ-06F , FS70VSJ-2 , FS7KM-12A , FS7VS-12A , FSS264 , FSS273 , FSS275 , IRF630 , FTCO3V455A1 , FTD2011 , FTD2019 , FTK3341L , FTK3857L , FTK3857T , FTK50N06 , FTK630 .

 

 
Back to Top

 


 
.