FSS804 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FSS804

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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FSS804 datasheet

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FSS804

Ordering number ENA0518 FSS804 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device FSS804 Applications Features Low ON-resistance. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 30 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC) ID 14 A Dra

Otros transistores... FS70VS-2, FS70VSJ-06F, FS70VSJ-2, FS7KM-12A, FS7VS-12A, FSS264, FSS273, FSS275, IRF640N, FTCO3V455A1, FTD2011, FTD2019, FTK3341L, FTK3857L, FTK3857T, FTK50N06, FTK630