FSS804 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FSS804
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de FSS804 MOSFET
FSS804 Datasheet (PDF)
fss804-tl-e.pdf

Ordering number : ENA0518 FSS804SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceFSS804ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 4V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 30 VGate-to-Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC) ID 14 ADra
Otros transistores... FS70VS-2 , FS70VSJ-06F , FS70VSJ-2 , FS7KM-12A , FS7VS-12A , FSS264 , FSS273 , FSS275 , IRF630 , FTCO3V455A1 , FTD2011 , FTD2019 , FTK3341L , FTK3857L , FTK3857T , FTK50N06 , FTK630 .
History: FDBL0090N40 | FCU850N80Z | 2SJ45 | JMSL0303AK | FDBL0065N40 | FDBL0630N150
History: FDBL0090N40 | FCU850N80Z | 2SJ45 | JMSL0303AK | FDBL0065N40 | FDBL0630N150



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
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