FTK840 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FTK840
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 42 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FTK840

FTK840 Datasheet (PDF)

..1. Size:428K first silicon
ftk840 ftk840p f.pdf

SEMICONDUCTORFTK840P / FTECHNICAL DATAMOSFET8A, 500V, 0.85, N-CHANNELPOWER MOSFETP :1DESCRIPTIONTO-220 The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFETis designed for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, switching converters,solenoid, motor drivers, relay drivers.F :1TO-220FFEATURES* 8A, 500V, Low RDS(ON

9.1. Size:318K first silicon
ftk84.pdf

SEMICONDUCTORFTK84TECHNICAL DATAPOWER MOSFET130 mAmps, 50 VoltsPChannel SOT23These miniature surface mount MOSFETs reduce power lossconserve energy, making this device ideal for use in small powermanagement circuitry. Typical applications are dcdc converters, load3switching, power management in portable and batterypoweredproducts such as computers, printers, ce

9.2. Size:511K first silicon
ftk84d.pdf

SEMICONDUCTORFTK84DTECHNICAL DATA130PChannel SC-88(SOT-363)These miniature surface mount MOSFETs reduce power lossconserve energy, making this device ideal for use in small powermanagement circuitry. Typical applications are dcdc converters, loadswitching, power management in portable and batterypoweredproducts such as computers, printers, cellular and cordless teleph

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Liste

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