FTK840 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FTK840
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 42 nC
Время нарастания (tr): 21 ns
Выходная емкость (Cd): 20 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO-220
FTK840 Datasheet (PDF)
ftk840 ftk840p f.pdf
SEMICONDUCTORFTK840P / FTECHNICAL DATAMOSFET8A, 500V, 0.85, N-CHANNELPOWER MOSFETP :1DESCRIPTIONTO-220 The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFETis designed for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, switching converters,solenoid, motor drivers, relay drivers.F :1TO-220FFEATURES* 8A, 500V, Low RDS(ON
ftk84.pdf
SEMICONDUCTORFTK84TECHNICAL DATAPOWER MOSFET130 mAmps, 50 VoltsPChannel SOT23These miniature surface mount MOSFETs reduce power lossconserve energy, making this device ideal for use in small powermanagement circuitry. Typical applications are dcdc converters, load3switching, power management in portable and batterypoweredproducts such as computers, printers, ce
ftk84d.pdf
SEMICONDUCTORFTK84DTECHNICAL DATA130PChannel SC-88(SOT-363)These miniature surface mount MOSFETs reduce power lossconserve energy, making this device ideal for use in small powermanagement circuitry. Typical applications are dcdc converters, loadswitching, power management in portable and batterypoweredproducts such as computers, printers, cellular and cordless teleph
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
