FX70KMJ-03 Todos los transistores

 

FX70KMJ-03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FX70KMJ-03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 228 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0123 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FN
     - Selección de transistores por parámetros

 

FX70KMJ-03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:194K  renesas
 fx70kmj-03.pdf pdf_icon

FX70KMJ-03

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

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History: 2SJ362 | PMN50UPE

 

 
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