IRLL110 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRLL110 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLL110

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.54 Ohm

Encapsulados: SOT223

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IRLL110 datasheet

..1. Size:217K international rectifier
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PD - 90869A IRLL110 HEXFET Power MOSFET Surface Mount D Available in Tape & Reel VDSS = 100V Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Logic-Level Gate Drive RDS(on) = 0.54 RDS(on)Specified at VGS= 4V & 5V G Fast Switching ID = 1.5A S Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast swit

..2. Size:207K international rectifier
irll110pbf.pdf pdf_icon

PD - 95222 IRLL110PbF HEXFET Power MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel D Dynamic dv/dt Rating VDSS = 100V Repetitive Avalanche Rated Logic-Level Gate Drive RDS(on) = 0.54 RDS(on)Specified at VGS= 4V & 5V G Fast Switching Lead-Free ID = 1.5A S Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination o

..3. Size:1437K vishay
irll110 sihll110.pdf pdf_icon

IRLL110, SiHLL110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Surface Mount VDS (V) 100 Available in Tape and Reel Available RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.54 Dynamic dV/dt Rating RoHS* Qg (Max.) (nC) 6.1 Repetitive Avalanche Rated COMPLIANT Qgs (nC) 2.6 Logic-Level Gate Drive Qgd (nC) 3.3 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Configuration Sin

0.1. Size:351K vishay
irll110trpbf sihll110.pdf pdf_icon

IRLL110, SiHLL110 www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Surface mount VDS (V) 100 Available in tape and reel Dynamic dV/dt rating RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.54 Repetitive avalanche rated Qg (Max.) (nC) 6.1 Logic-level gate drive Qgs (nC) 2.6 RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V Available Qgd (nC) 3.3 Fast switching C

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