IRLL110 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRLL110
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 6.1(max) nC
Время нарастания (tr): 47 ns
Выходная емкость (Cd): 80 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.54 Ohm
Тип корпуса: SOT223
IRLL110 Datasheet (PDF)
irll110.pdf
PD - 90869AIRLL110HEXFET Power MOSFET Surface MountD Available in Tape & ReelVDSS = 100V Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Logic-Level Gate DriveRDS(on) = 0.54 RDS(on)Specified at VGS= 4V & 5VG Fast SwitchingID = 1.5ASDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierprovide the designer with the best combination of fastswit
irll110pbf.pdf
PD - 95222IRLL110PbFHEXFET Power MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel D Dynamic dv/dt Rating VDSS = 100V Repetitive Avalanche Rated Logic-Level Gate DriveRDS(on) = 0.54 RDS(on)Specified at VGS= 4V & 5VG Fast Switching Lead-FreeID = 1.5ASDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierprovide the designer with the best combination o
irll110 sihll110.pdf
IRLL110, SiHLL110Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface MountVDS (V) 100 Available in Tape and ReelAvailableRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.54 Dynamic dV/dt RatingRoHS*Qg (Max.) (nC) 6.1 Repetitive Avalanche RatedCOMPLIANTQgs (nC) 2.6 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 3.3 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Sin
irll110trpbf sihll110.pdf
IRLL110, SiHLL110www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface mountVDS (V) 100 Available in tape and reel Dynamic dV/dt ratingRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.54 Repetitive avalanche ratedQg (Max.) (nC) 6.1 Logic-level gate driveQgs (nC) 2.6 RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V AvailableQgd (nC) 3.3 Fast switchingC
irll110trpbf.pdf
IRLL110TRPBFwww.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.100 at VGS = 10 V 5.0 TrenchFET Power MOSFETs1000.120 at VGS = 4.5 V 4.5 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSOT-223D GSDGSN-Channel MOSFET
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
