IRF8714PBF-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF8714PBF-1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 9.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0087 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF8714PBF-1

IRF8714PBF-1 Datasheet (PDF)

..1. Size:220K international rectifier
irf8714pbf-1.pdf

IRF8714PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 30 VAA1 8S DRDS(on) max 8.7 m2 7(@V = 10V) S DGSQg (typical) 8.1 nC 3 6S DID 4 514 A G D(@T = 25C)ASO-8Top ViewApplicationsl Control MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor Powerl Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking SystemsFeatures BenefitsIndustry-standard pinout

4.1. Size:250K international rectifier
irf8714pbf.pdf

PD - 96116IRF8714PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl Control MOSFET of Sync-BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters used for NotebookProcessor Power8.7m @VGS = 10V30V 8.1nCl Control MOSFET for Isolated DC-DCConverters in Networking SystemsBenefitsAA1 8l Very Low Gate ChargeS Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 2 7S Dl Ultra-Low Gate Impedance3 6S Dl Fully

4.2. Size:250K infineon
irf8714pbf.pdf

7.1. Size:249K international rectifier
irf8714gpbf.pdf

PD - 96263IRF8714GPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl Control MOSFET of Sync-BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters used for NotebookProcessor Power8.7m @VGS = 10V30V 8.1nCl Control MOSFET for Isolated DC-DCConverters in Networking SystemsBenefitsAAl Very Low Gate Charge1 8S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS2 7S Dl Ultra-Low Gate Impedance3 6S Dl Full

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Liste

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