IRF8714PBF-1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF8714PBF-1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.35 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 8.1 nC
Время нарастания (tr): 9.9 ns
Выходная емкость (Cd): 220 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0087 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для IRF8714PBF-1
IRF8714PBF-1 Datasheet (PDF)
irf8714pbf-1.pdf
IRF8714PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 30 VAA1 8S DRDS(on) max 8.7 m2 7(@V = 10V) S DGSQg (typical) 8.1 nC 3 6S DID 4 514 A G D(@T = 25C)ASO-8Top ViewApplicationsl Control MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor Powerl Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking SystemsFeatures BenefitsIndustry-standard pinout
irf8714pbf.pdf
PD - 96116IRF8714PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl Control MOSFET of Sync-BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters used for NotebookProcessor Power8.7m @VGS = 10V30V 8.1nCl Control MOSFET for Isolated DC-DCConverters in Networking SystemsBenefitsAA1 8l Very Low Gate ChargeS Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 2 7S Dl Ultra-Low Gate Impedance3 6S Dl Fully
irf8714pbf.pdf
PD - 96116IRF8714PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl Control MOSFET of Sync-BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters used for NotebookProcessor Power8.7m @VGS = 10V30V 8.1nCl Control MOSFET for Isolated DC-DCConverters in Networking SystemsBenefitsAA1 8l Very Low Gate ChargeS Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 2 7S Dl Ultra-Low Gate Impedance3 6S Dl Fully
irf8714gpbf.pdf
PD - 96263IRF8714GPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl Control MOSFET of Sync-BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters used for NotebookProcessor Power8.7m @VGS = 10V30V 8.1nCl Control MOSFET for Isolated DC-DCConverters in Networking SystemsBenefitsAAl Very Low Gate Charge1 8S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS2 7S Dl Ultra-Low Gate Impedance3 6S Dl Full
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
