Справочник MOSFET. IRF8714PBF-1

 

IRF8714PBF-1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF8714PBF-1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.35 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0087 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для IRF8714PBF-1

 

 

IRF8714PBF-1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  international rectifier
 irf8714pbf-1.pdf

IRF8714PBF-1 IRF8714PBF-1

IRF8714PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 30 VAA1 8S DRDS(on) max 8.7 m2 7(@V = 10V) S DGSQg (typical) 8.1 nC 3 6S DID 4 514 A G D(@T = 25C)ASO-8Top ViewApplicationsl Control MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor Powerl Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking SystemsFeatures BenefitsIndustry-standard pinout

 4.1. Size:250K  international rectifier
 irf8714pbf.pdf

IRF8714PBF-1 IRF8714PBF-1

PD - 96116IRF8714PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl Control MOSFET of Sync-BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters used for NotebookProcessor Power8.7m @VGS = 10V30V 8.1nCl Control MOSFET for Isolated DC-DCConverters in Networking SystemsBenefitsAA1 8l Very Low Gate ChargeS Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 2 7S Dl Ultra-Low Gate Impedance3 6S Dl Fully

 4.2. Size:250K  infineon
 irf8714pbf.pdf

IRF8714PBF-1 IRF8714PBF-1

PD - 96116IRF8714PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl Control MOSFET of Sync-BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters used for NotebookProcessor Power8.7m @VGS = 10V30V 8.1nCl Control MOSFET for Isolated DC-DCConverters in Networking SystemsBenefitsAA1 8l Very Low Gate ChargeS Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 2 7S Dl Ultra-Low Gate Impedance3 6S Dl Fully

 7.1. Size:249K  international rectifier
 irf8714gpbf.pdf

IRF8714PBF-1 IRF8714PBF-1

PD - 96263IRF8714GPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl Control MOSFET of Sync-BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters used for NotebookProcessor Power8.7m @VGS = 10V30V 8.1nCl Control MOSFET for Isolated DC-DCConverters in Networking SystemsBenefitsAAl Very Low Gate Charge1 8S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS2 7S Dl Ultra-Low Gate Impedance3 6S Dl Full

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top