IRF8910GPBF Todos los transistores

 

IRF8910GPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF8910GPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.55 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0134 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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Principales características: IRF8910GPBF

 ..1. Size:284K  international rectifier
 irf8910gpbf.pdf pdf_icon

IRF8910GPBF

PD -96257 IRF8910GPbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID l Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, 13.4m @VGS = 10V 20V 10A graphics cards, game consoles and set-top box l Lead-Free 1 l Halogen-Free 8 S1 D1 2 7 G1 D1 Benefits 3 6 S2 D2 l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 4 5 G2 D2 l Ultra-Low Gate Impedance SO-8 l Fully Characterized Ava

 7.1. Size:250K  international rectifier
 irf8910pbf-1.pdf pdf_icon

IRF8910GPBF

IRF8910PbF-1 HEXFET Power MOSFET VDS 20 V 1 8 S1 D1 RDS(on) max 2 7 13.4 G1 D1 (@V = 10V) GS m 3 6 S2 D2 RDS(on) max 18.3 4 5 (@V = 4.5V) GS G2 D2 Qg (typical) 7.4 nC SO-8 Top View ID 10 A (@T = 25 C) A Features Benefits Industry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturin

 8.1. Size:285K  1
 irf8915.pdf pdf_icon

IRF8910GPBF

PD -95727A IRF8915PbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, 18.3m @VGS = 10V 20V 8.9A graphics cards, game consoles and set-top box l Lead-Free 1 8 S1 D1 2 7 G1 D1 3 6 S2 D2 Benefits 4 5 G2 D2 l Ultra-Low Gate Impedance SO-8 l Very Low RDS(on) Top View l Fully Characterized Avalanche Voltage and

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