IRF8910GPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF8910GPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.55 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.4 nC
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0134 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для IRF8910GPBF
IRF8910GPBF Datasheet (PDF)
irf8910gpbf.pdf
PD -96257IRF8910GPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl Dual SO-8 MOSFET for POLconverters in desktop, servers,13.4m @VGS = 10V20V 10Agraphics cards, game consolesand set-top boxl Lead-Free1l Halogen-Free 8S1 D12 7G1 D1Benefits3 6S2 D2l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS45G2 D2l Ultra-Low Gate ImpedanceSO-8l Fully Characterized Ava
irf8910pbf-1.pdf
IRF8910PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 20 V1 8S1 D1RDS(on) max 2 713.4G1 D1(@V = 10V)GSm3 6S2 D2RDS(on) max 18.34 5(@V = 4.5V)GSG2 D2Qg (typical) 7.4 nCSO-8Top ViewID 10 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturin
irf8910pbf-1.pdf
IRF8910PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 20 V1 8S1 D1RDS(on) max 2 713.4G1 D1(@V = 10V)GSm3 6S2 D2RDS(on) max 18.34 5(@V = 4.5V)GSG2 D2Qg (typical) 7.4 nCSO-8Top ViewID 10 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturin
irf8915.pdf
PD -95727AIRF8915PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDDual SO-8 MOSFET for POLconverters in desktop, servers,18.3m @VGS = 10V20V 8.9Agraphics cards, game consolesand set-top boxl Lead-Free1 8S1 D12 7G1 D13 6S2 D2Benefits4 5G2 D2l Ultra-Low Gate ImpedanceSO-8l Very Low RDS(on)Top Viewl Fully Characterized Avalanche Voltageand
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918