IRF9130SMD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF9130SMD  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm

Encapsulados: SMD1

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IRF9130SMD datasheet

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IRF9130SMD

IRF9130SMD MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL POWER MOSFET FOR HI REL APPLICATIONS VDSS -100V ID(cont) -8A RDS(on) 0.35 FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE REQUI

 0.1. Size:18K  semelab
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IRF9130SMD

IRFNJ9130 IRF9130SMD05 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL POWER MOSFET 7.54 (0.296) FOR HI REL 0.76 (0.030) min. APPLICATIONS 3.175 (0.125) 2.41 (0.095) 2.41 (0.095) Max. 0.127 (0.005) 1 3 VDSS -100V ID(cont) -11A 2 RDS(on) 0.30 0.127 (0.005) FEATURES 16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020) 0.50 (0.020) HERMETICALLY SEALED max. 7.26 (

 7.1. Size:149K  international rectifier
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IRF9130SMD

PD - 90549C IRF9130 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6804 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6804 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/562] 100V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF9130 -100V 0.30 -11A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique pr

 7.2. Size:520K  samsung
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