IRLL3303 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLL3303
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm
Encapsulados: SOT223
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IRLL3303 datasheet
irll3303pbf.pdf
PD- 95223 IRLL3303PbF Surface Mount HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating D Logic-Level Gate Drive VDSS = 30V Fast Switching Ease of Paralleling RDS(on) = 0.031 Advanced Process Technology G Ultra Low On-Resistance Lead-Free ID = 4.6A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely
irll3303.pdf
PD- 91379C IRLL3303 HEXFET Power MOSFET Surface Mount D Dynamic dv/dt Rating VDSS = 30V Logic-Level Gate Drive Fast Switching RDS(on) = 0.031 Ease of Paralleling G Advanced Process Technology ID = 4.6A Ultra Low On-Resistance S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resis
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History: IXFH26N50Q
History: IXFH26N50Q
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