IRF9410PBF Todos los transistores

 

IRF9410PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF9410PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

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IRF9410PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  international rectifier
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IRF9410PBF

PD - 95260 IRF9410PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology A l Ultra Low On-Resistance A 1 8 S D l N-Channel MOSFET VDSS = 30V 2 7 l Surface Mount S D l Very Low Gate Charge and 3 6 S D Switching Losses 4 5 G D RDS(on) = 0.030 l Fully Avalanche Rated l Lead-Free Top View Description Recommended upgrade IRF7403 or IRF7413 Fifth Generation HEXFETs from Int

 7.1. Size:114K  international rectifier
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IRF9410PBF

PD - 9.1562A IRF9410 PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Generation V Technology A A 1 8 S D Ultra Low On-Resistance VDSS = 30V 2 7 N-Channel MOSFET S D Surface Mount 3 6 S D Very Low Gate Charge and 4 5 G D Switching Losses RDS(on) = 0.030 Fully Avalanche Rated Top View Description Recommended upgrade IRF7403 or IRF7413 Fifth Generation HEXFETs from Internationa

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