Справочник MOSFET. IRF9410PBF

 

IRF9410PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF9410PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для IRF9410PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9410PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  international rectifier
 irf9410pbf.pdf pdf_icon

IRF9410PBF

PD - 95260IRF9410PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyAl Ultra Low On-ResistanceA1 8S Dl N-Channel MOSFETVDSS = 30V2 7l Surface Mount S Dl Very Low Gate Charge and3 6S DSwitching Losses45G DRDS(on) = 0.030l Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeTop ViewDescriptionRecommended upgrade: IRF7403 or IRF7413Fifth Generation HEXFETs from Int

 7.1. Size:114K  international rectifier
 irf9410.pdf pdf_icon

IRF9410PBF

PD - 9.1562AIRF9410PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Generation V Technology AA1 8S D Ultra Low On-ResistanceVDSS = 30V2 7 N-Channel MOSFETS D Surface Mount3 6S D Very Low Gate Charge and4 5G DSwitching Losses RDS(on) = 0.030 Fully Avalanche RatedTop ViewDescriptionRecommended upgrade: IRF7403 or IRF7413Fifth Generation HEXFETs from Internationa

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SSH3N90

 

 
Back to Top

 


 
.