SSH8N70 Todos los transistores

 

SSH8N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSH8N70
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

 Búsqueda de reemplazo de SSH8N70 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SSH8N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  semelab
 ssh8n70 ssh8n80.pdf pdf_icon

SSH8N70

 9.1. Size:935K  samsung
 ssh8n80a.pdf pdf_icon

SSH8N70

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1000 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. Source1.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSy

 9.2. Size:937K  samsung
 ssh8n90a.pdf pdf_icon

SSH8N70

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.6 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 1.247 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

Otros transistores... SSH3N90 , SSH4N55 , SSH4N60 , SSH4N80 , SSH4N90 , SSH5N90 , SSH60N08 , SSH6N80 , SPP20N60C3 , SSH8N80 , SSI2N60B , SSI4N60B , SSM03N70GH , SSM03N70GJ , SSM03N70GP-H , SSM04N70BGF-A , SSM04N70BGF-H .

History: LNH04R075 | FDW254P | TSA28N50M | MPSA60M370 | TPW65R044MFD | RFP70N06

 

 
Back to Top

 


 
.