SSH8N70 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSH8N70  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSH8N70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH8N70 даташит

 ..1. Size:272K  semelab
 ssh8n70 ssh8n80.pdf pdf_icon

SSH8N70

 9.1. Size:935K  samsung
 ssh8n80a.pdf pdf_icon

SSH8N70

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 1000 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Sy

 9.2. Size:937K  samsung
 ssh8n90a.pdf pdf_icon

SSH8N70

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.6 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) 1.247 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

Другие IGBT... SSH3N90, SSH4N55, SSH4N60, SSH4N80, SSH4N90, SSH5N90, SSH60N08, SSH6N80, K3569, SSH8N80, SSI2N60B, SSI4N60B, SSM03N70GH, SSM03N70GJ, SSM03N70GP-H, SSM04N70BGF-A, SSM04N70BGF-H