SSM09N70GP-A Todos los transistores

 

SSM09N70GP-A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSM09N70GP-A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 44 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de SSM09N70GP-A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SSM09N70GP-A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:568K  silicon standard
 ssm09n70gp-a.pdf pdf_icon

SSM09N70GP-A

SSM09N70GP-AN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM09N70GP-A achieves fast switching performanceBVDSS 650Vwith low gate charge without a complex drive circuit. ItRDS(ON) 0.75is suitable for high voltage applications such as AC/DCconverters, SMPS and general off-line switching circuits.I 9AD Pb-free; RoHS-compliant TO-220The SSM09N70GP

 8.1. Size:628K  silicon standard
 ssm09n90gw.pdf pdf_icon

SSM09N70GP-A

SSM09N90GWN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM09N90GW acheives fast switching performanceBVDSS 900Vwith low gate charge without a complex drive circuit. It isRDS(ON) 1.2suitable for high voltage applications such as AC/DCconverters and offline power supplies.I 8.6AD The SSM09N90GW is in a TO-247 (TO-3P) package,Pb-free; RoHS-compli

 8.2. Size:624K  silicon standard
 ssm09n90cgw.pdf pdf_icon

SSM09N70GP-A

SSM09N90CGWN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM09N90CGW acheives fast switching performanceBVDSS 900Vwith low gate charge without a complex drive circuit. It isRDS(ON) 1.4suitable for high voltage applications such as AC/DCconverters and offline power supplies.I 7.6AD The SSM09N90CGW is in a TO-247 (TO-3P) package,Pb-free; RoHS-com

Otros transistores... SSI2N60B , SSI4N60B , SSM03N70GH , SSM03N70GJ , SSM03N70GP-H , SSM04N70BGF-A , SSM04N70BGF-H , SSM04N70BGP-A , IRF530 , SSM09N90CGW , SSM09N90GW , SSM1333GU , SSM2030GM , SSM2030SD , SSM20N03S , SSM20P02GH , SSM20P02GJ .

 

 
Back to Top

 


 
.