SSM09N70GP-A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSM09N70GP-A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 156 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 44 nC
Tiempo de subida (tr): 21 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 170 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.75 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSM09N70GP-A
SSM09N70GP-A Datasheet (PDF)
ssm09n70gp-a.pdf
SSM09N70GP-AN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM09N70GP-A achieves fast switching performanceBVDSS 650Vwith low gate charge without a complex drive circuit. ItRDS(ON) 0.75is suitable for high voltage applications such as AC/DCconverters, SMPS and general off-line switching circuits.I 9AD Pb-free; RoHS-compliant TO-220The SSM09N70GP
ssm09n90gw.pdf
SSM09N90GWN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM09N90GW acheives fast switching performanceBVDSS 900Vwith low gate charge without a complex drive circuit. It isRDS(ON) 1.2suitable for high voltage applications such as AC/DCconverters and offline power supplies.I 8.6AD The SSM09N90GW is in a TO-247 (TO-3P) package,Pb-free; RoHS-compli
ssm09n90cgw.pdf
SSM09N90CGWN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM09N90CGW acheives fast switching performanceBVDSS 900Vwith low gate charge without a complex drive circuit. It isRDS(ON) 1.4suitable for high voltage applications such as AC/DCconverters and offline power supplies.I 7.6AD The SSM09N90CGW is in a TO-247 (TO-3P) package,Pb-free; RoHS-com
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