SSM25T03GH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSM25T03GH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de SSM25T03GH MOSFET
SSM25T03GH Datasheet (PDF)
ssm25t03gh ssm25t03gj.pdf

SSM25T03GH,JN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM25T03 acheives fast switching performanceBVDSS 30Vwith low gate charge without a complex drive circuit. It isRDS(ON) 35msuitable for low voltage applications such as DC/DCconverters and general load-switching circuits.I 20AD The SSM25T03GH is in a TO-252 package, which isPb-free; RoHS
Otros transistores... SSM2307GN , SSM2309GN , SSM2310GN , SSM2312GN , SSM2313GN , SSM2314GN , SSM2316GN , SSM2318GEN , IRF2807 , SSM25T03GJ , SSM2602GY , SSM2602Y , SSM2603GY , SSM2603Y , SSM2605GY , SSM2761P-A , SSM3310GH .
History: IPAW60R600CE
History: IPAW60R600CE



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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