SSM25T03GH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSM25T03GH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 20 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 6 nC
Tiempo de subida (tr): 200 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 105 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSM25T03GH
SSM25T03GH Datasheet (PDF)
ssm25t03gh ssm25t03gj.pdf
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SSM25T03GH,JN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM25T03 acheives fast switching performanceBVDSS 30Vwith low gate charge without a complex drive circuit. It isRDS(ON) 35msuitable for low voltage applications such as DC/DCconverters and general load-switching circuits.I 20AD The SSM25T03GH is in a TO-252 package, which isPb-free; RoHS
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Liste
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