SSM3K56CT Todos los transistores

 

SSM3K56CT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSM3K56CT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.235 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-883
 

 Búsqueda de reemplazo de SSM3K56CT MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SSM3K56CT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  toshiba
 ssm3k56ct.pdf pdf_icon

SSM3K56CT

SSM3K56CTMOSFETs Silicon N-Channel MOSSSM3K56CTSSM3K56CTSSM3K56CTSSM3K56CT1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Speed Switching2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 1.5-V gate drive voltage.(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 235 m (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 300 m (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 48

 7.1. Size:197K  toshiba
 ssm3k56mfv.pdf pdf_icon

SSM3K56CT

SSM3K56MFVMOSFETs Silicon N-Channel MOSSSM3K56MFVSSM3K56MFVSSM3K56MFVSSM3K56MFV1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Speed Switching2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 1.5-V gate drive voltage.(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 235 m (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 300 m (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON)

 7.2. Size:198K  toshiba
 ssm3k56fs.pdf pdf_icon

SSM3K56CT

SSM3K56FSMOSFETs Silicon N-Channel MOSSSM3K56FSSSM3K56FSSSM3K56FSSSM3K56FS1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Speed Switching2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 1.5-V gate drive voltage.(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 235 m (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 300 m (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 48

 7.3. Size:208K  toshiba
 ssm3k56act.pdf pdf_icon

SSM3K56CT

SSM3K56ACTMOSFETs Silicon N-Channel MOSSSM3K56ACTSSM3K56ACTSSM3K56ACTSSM3K56ACT1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Speed Switching2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 1.5-V gate drive voltage.(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 235 m (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 300 m (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SSM3K2615R , SSM3K318R , SSM3K324R , SSM3K335R , SSM3K336R , SSM3K337R , SSM3K339R , SSM3K35CTC , RU7088R , SSM3K56FS , SSM3K56MFV , SSM3K59CTB , SSM3K72CTC , SSM40P03GH , SSM40P03GJ , SSM40T03GH , SSM40T03GJ .

History: HY1607PM | 6N60KG-TMS4-T | CMLM0305 | RU3020L | SSM3K324R | CMLM0574 | SFF44N50S2

 

 
Back to Top

 


 
.