SSM3K59CTB Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSM3K59CTB  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.215 Ohm

Encapsulados: CST3B

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SSM3K59CTB datasheet

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SSM3K59CTB

SSM3K59CTB MOSFETs Silicon N-Channel MOS SSM3K59CTB SSM3K59CTB SSM3K59CTB SSM3K59CTB 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications DC-DC Converters 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 1.8-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 250 m (typ.) (@VGS = 1.8 V, ID = 0.2 A) RDS(ON) = 210 m (typ.) (@VGS = 2.5 V,

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SSM3K59CTB

SSM3K56MFV MOSFETs Silicon N-Channel MOS SSM3K56MFV SSM3K56MFV SSM3K56MFV SSM3K56MFV 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Speed Switching 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 1.5-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 235 m (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 300 m (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON)

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SSM3K59CTB

SSM3K56FS MOSFETs Silicon N-Channel MOS SSM3K56FS SSM3K56FS SSM3K56FS SSM3K56FS 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Speed Switching 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 1.5-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 235 m (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 300 m (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 48

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SSM3K59CTB

SSM3K56ACT MOSFETs Silicon N-Channel MOS SSM3K56ACT SSM3K56ACT SSM3K56ACT SSM3K56ACT 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Speed Switching 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 1.5-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 235 m (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 300 m (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON)

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