IRF9Z10PBF Todos los transistores

 

IRF9Z10PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF9Z10PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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IRF9Z10PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  vishay
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IRF9Z10PBF

IRF9Z10, SiHF9Z10Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50RoHS* P-ChannelQg (Max.) (nC) 12COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 3.8 Fast SwitchingQgd (nC) 5.1 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requi

 7.1. Size:422K  international rectifier
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IRF9Z10PBF

 7.2. Size:385K  international rectifier
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IRF9Z10PBF

PD - 90459AIRF9Z10DSDGTO-220ABGDSGate Drain Source06/24/05Document Number: 90118 www.vishay.com1IRF9Z10Document Number: 90118 www.vishay.com2IRF9Z10Document Number: 90118 www.vishay.com3IRF9Z10Document Number: 90118 www.vishay.com4IRF9Z10Document Number: 90118 www.vishay.com5IRF9Z10Document Number: 90118 www.vishay.com6IRF9Z10Peak Di

 7.3. Size:132K  vishay
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IRF9Z10PBF

IRF9Z10, SiHF9Z10Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50RoHS* P-ChannelQg (Max.) (nC) 12COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 3.8 Fast SwitchingQgd (nC) 5.1 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requi

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