IRF9Z10PBF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF9Z10PBF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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IRF9Z10PBF datasheet

 ..1. Size:132K  vishay
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IRF9Z10PBF

IRF9Z10, SiHF9Z10 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 60 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 RoHS* P-Channel Qg (Max.) (nC) 12 COMPLIANT 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 3.8 Fast Switching Qgd (nC) 5.1 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requi

 7.1. Size:422K  international rectifier
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IRF9Z10PBF

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IRF9Z10PBF

PD - 90459A IRF9Z10 D S D G TO-220AB GDS Gate Drain Source 06/24/05 Document Number 90118 www.vishay.com 1 IRF9Z10 Document Number 90118 www.vishay.com 2 IRF9Z10 Document Number 90118 www.vishay.com 3 IRF9Z10 Document Number 90118 www.vishay.com 4 IRF9Z10 Document Number 90118 www.vishay.com 5 IRF9Z10 Document Number 90118 www.vishay.com 6 IRF9Z10 Peak Di

 7.3. Size:132K  vishay
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IRF9Z10PBF

IRF9Z10, SiHF9Z10 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 60 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 RoHS* P-Channel Qg (Max.) (nC) 12 COMPLIANT 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 3.8 Fast Switching Qgd (nC) 5.1 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requi

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